Synonym of Apcvd

Chemical vapor deposition (CVD) is a chemical process used to produce high-purity, high-performance solid materials. The process is often used in the semiconductor industry to produce thin films. In a typical CVD process, the wafer (substrate) is exposed to one or more volatile s, which react and/or decompose on the substrate surface to produce the desired deposit. Frequently, volatile byproducts are also produced, which are removed by gas flow through the reaction chamber.

Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt de films minces, à partir de précurseurs gazeux.

Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition) versteht man ein Beschichtungsverfahren.

Chemical vapour deposition identifica una tecnica di deposizione che prevede reagenti in fase gassosa che reagiscono alla superficie del substrato a formare un deposito solido. La tecnica permette di crescere sia strati uniformi che depositi "a isole", o una via di mezzo, a seconda dei parametri di deposizione (natura dei precursori, del substrato, temperatura di reazione, ecc...).

Chemical Vapor Deposition (CVD) (letterlijk vertaald “chemische dampdepositie”) is een chemisch opdampproces waarbij een dunne laag materiaal op een substraat (ondergrond) wordt aangebracht.

化学気相成長、化学気相蒸着または化学蒸着（CVD: Chemical Vapor Deposition）は、さまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法のひとつで、石英などで出来た反応管内で加熱した基盤物質上に、目的とする薄膜の成分を含む原料ガスを供給し、基盤表面あるいは気相での化学反応により膜を堆積する方法である。常圧（大気圧）や加圧した状態での運転が可能な他、化学反応を活性化させる目的で、反応管内を減圧しプラズマなどを発生させる場合もある。切削工具の表面処理や半導体素子の製造工程において一般的に使用される。

化学气相沉积是半导体技术中一种常用的薄膜生长技术，这种技术使用化学的方法来沉积薄膜。化学气相沉积包括

• MOCVD
• PECVD